在半导体加工中，金属化问题是一个要害的手艺挑战，主要体现为金属互连线(如铜、铝)泛起电迁徙和接触电阻升高，这些问题严重影响了芯片的性能和可靠性。
温度过高：在高温退火历程中，金属互连线会爆发电迁徙或晶粒太过生长。这种微观结构的转变会直接影响电学性能，降低互连线的可靠性。
温度缺乏：当温度过低时，金属与硅之间的接触电阻无法获得优化。这会导致电撒播输效率降低，增添器件的功耗，并使性能变得不稳固。
电迁徙、晶粒太过生长以及接触电阻升高相互关联，配合导致芯片整体性能下降。这些问题不但会使芯片信号传输速率减慢、逻辑功效异常，还会增添芯片在使用历程中的故障危害，提高产品维护本钱和失效率。
优化退火温度：通过接纳高精度的温度控制系统，如 细密工业冷水机 ，为半导体装备提供稳固的冷却支持，镌汰因温度波动导致的电迁徙和接触电阻问题，从而提高芯片的性能和可靠性。
优化接触工艺：调解接触层的质料、厚度和制备工艺，例如接纳多层结构或添加掺杂元素，可以有用降低接触电阻，提高电撒播输效率。
质料选择：选用抗电迁徙能力强的金属质料(如铜合金)和导电性好的接触质料(如掺杂多晶硅或金属硅化物)，进一步优化接触电阻。
通过这些步伐，可以有用解决金属化问题，提升半导体芯片的性能和可靠性。
